中國氮化鎵GaN0產(chǎn)業(yè)投資規(guī)模預(yù)測及未來發(fā)展方向報告2022～2028年

【報告編號】: 419283

【出版時間】: 2022年7月

【出版機構(gòu)】: 華研中商研究網(wǎng)

【報告價格】:【紙質(zhì)版】:6500元 【電子版】: 6800元 【紙質(zhì)+電子】: 7000元

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【報告目錄】


章　氮化鎵相關(guān)概述
1.1　氮化鎵基本介紹
1.1.1　氮化鎵基本概念
1.1.2　氮化鎵形成階段
1.1.3　氮化鎵性能優(yōu)勢
1.1.4　氮化鎵半導(dǎo)體作用
1.2　氮化鎵材料的特性
1.2.1　結(jié)構(gòu)特性
1.2.2　化學(xué)特性
1.2.3　光學(xué)特性
1.2.4　電學(xué)性質(zhì)
1.2.5　磁學(xué)特性
1.3　氮化鎵的制備方法
1.3.1　金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)
1.3.2　分子束外延（MBE）技術(shù)
1.3.3　氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)
1.3.4　懸空外延技術(shù)（Pendeo年到epitaxy）
二章　2020年到2022年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1　半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1　代半導(dǎo)體材料
2.1.2　二代半導(dǎo)體材料
2.1.3　三代半導(dǎo)體材料
2.1.4　半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2　2020年到2022年半導(dǎo)體材料發(fā)展狀況
2.2.1　市場銷售規(guī)模
2.2.2　區(qū)域分布狀況
2.2.3　細分市場結(jié)構(gòu)
2.2.4　市場并購動態(tài)
2.2.5　市場發(fā)展預(yù)測
2.3　2020年到2022年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1　應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.2　產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3　市場銷售規(guī)模
2.3.4　細分市場結(jié)構(gòu)
2.3.5　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.3.6　國產(chǎn)替代進程
2.4　中國半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2　產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3　供應(yīng)鏈不完善
2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
2.5　半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1　行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.2　行業(yè)需求分析
2.5.3　行業(yè)前景分析
三章　2020年到2022年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3　產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4　國產(chǎn)化將加速
3.2　2020年到2022年氮化鎵市場發(fā)展狀況
3.2.1　氮化鎵市場發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2　氮化鎵市場需求狀況
3.2.3　氮化鎵市場產(chǎn)值規(guī)模
3.2.4　氮化鎵市場產(chǎn)能分析
3.2.5　氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.2.6　氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3　氮化鎵技術(shù)專利申請狀況
3.3.1　氮化鎵技術(shù)來源國分布
3.3.2　氮化鎵技術(shù)專利申請量
3.3.3　氮化鎵專利申請人分布
3.3.4　中國氮化鎵專利申請區(qū)域分布
四章　2020年到2022年氮化鎵企業(yè)競爭情況分析
4.1　2020年到2022年氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.1.1　氮化鎵市場區(qū)域競爭
4.1.2　氮化鎵企業(yè)競爭格局
4.1.3　氮化鎵企業(yè)市場份額
4.1.4　氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5　氮化鎵企業(yè)上市動態(tài)
4.1.6　氮化鎵企業(yè)中國布局
4.2　2020年到2022年中國氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.2.1　國內(nèi)氮化鎵競爭態(tài)勢
4.2.2　國內(nèi)氮化鎵主要企業(yè)
4.2.3　國內(nèi)氮化鎵企業(yè)產(chǎn)線
4.2.4　國內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3　快充市場氮化鎵主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.3.1　氮化鎵芯片上游
4.3.2　氮化鎵制造工廠
4.3.3　氮化鎵品牌廠商
4.4　GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1　GaN電力電子器件
4.4.2　GaN光電子器件
五章　2020年到2022年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
5.1　發(fā)光二極管（LED）
5.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3　發(fā)光二極管（LED）進出口數(shù)據(jù)分析
5.1.4　氮化鎵基藍綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5　氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
5.2　場效應(yīng)晶體管（FET）
5.2.1　場效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
5.2.3　GaN　FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
5.2.4　GaN　FET產(chǎn)品研發(fā)進展
5.3　激光二極管（LD）
5.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2　激光二極管（LD）背景技術(shù)
5.3.3　激光器進出口市場數(shù)據(jù)分析
5.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5　GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
5.3.6　GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
5.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4　二極管（Diodes）
5.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2　二極管進出口市場數(shù)據(jù)分析
5.4.3　氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展狀況
5.5　射頻器件（RF）
5.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2　GaN射頻器件市場發(fā)展狀況
5.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4　GaN射頻器件主要需求領(lǐng)域
5.6　太陽能電池（Solar Cells）
5.6.1　2020年到2022年中國太陽能電池進出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
5.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
六章　2020年到2022年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.1　氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.1.1　電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2　GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢
6.1.3　GaN電力電子器件分布情況
6.1.4　GaN基電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)
6.1.5　GaN組件商品化帶來的機遇
6.1.6　電力電子器件市場未來發(fā)展方向
6.2　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.2.1　新能源行業(yè)相關(guān)政策支持
6.2.2　新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢
6.2.3　新能源發(fā)電建設(shè)和運行情況
6.2.4　GaN大功率器件需求潛力
6.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.3.1　發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
6.3.2　智能電力設(shè)備發(fā)展分析
6.3.3　智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
6.3.4　GaN大功率器件需求潛力
6.4　氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.4.1　通訊設(shè)備市場需求分析
6.4.2　通訊設(shè)備制造業(yè)運行分析
6.4.3　GaN大功率器件需求潛力
6.5　氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
6.5.1　GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.5.2　GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
6.5.3　GaN在紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.4　GaN在紅外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.5　GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
6.5.6　GaN在生物化學(xué)探測領(lǐng)域的應(yīng)用
七章　2020年到2022年國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2　企業(yè)產(chǎn)品動態(tài)
7.1.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1.5　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2　科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.2.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2.5　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3　雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
7.3.3　2019年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3.4　2020年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3.5　2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2　企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
7.4.3　項目建設(shè)動態(tài)
7.4.4　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4.5　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4.6　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2　企業(yè)產(chǎn)品動態(tài)
7.5.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5.5　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
八章　2019年到2022年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.1　蘇州納維科技有限公司
8.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2　企業(yè)主營業(yè)務(wù)
8.1.3　企業(yè)發(fā)展成就
8.2　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
8.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2　企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3　企業(yè)項目進展
8.3　東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
8.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2　企業(yè)人才隊伍
8.3.3　企業(yè)獲得榮譽
8.3.4　公司專利技術(shù)
8.3.5　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4　三安光電股份有限公司
8.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2　經(jīng)營效益分析
8.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.4.4　財務(wù)狀況分析
8.4.5　核心競爭力分析
8.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.4.7　未來前景展望
8.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2　經(jīng)營效益分析
8.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.5.4　財務(wù)狀況分析
8.5.5　核心競爭力分析
8.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.5.7　未來前景展望
8.6　四川海特高新技術(shù)股份有限公司
8.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2　經(jīng)營效益分析
8.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.6.4　財務(wù)狀況分析
8.6.5　核心競爭力分析
8.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.6.7　未來前景展望
九章　2022年到2028年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測
9.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1　產(chǎn)業(yè)投資機會
9.1.2　企業(yè)并購動態(tài)
9.1.3　投資擴產(chǎn)狀況
9.1.4　區(qū)域投資分布
9.2　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2　市場應(yīng)用潛力
9.2.3　市場發(fā)展機遇
9.3　2022年到2028年中國氮化鎵市場預(yù)測分析
9.3.1　2022年到2028年中國氮化鎵市場影響因素分析
9.3.2　2022年到2028年中國三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測
9.3.3　2022年到2028年中國SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模預(yù)測
9.3.4　2022年到2028年中國GaN微波射頻產(chǎn)值規(guī)模預(yù)測
圖表目錄
圖表1　半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表2　硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3　半導(dǎo)體材料性能比較
圖表4　砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表5　纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
圖表6　三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7　半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
圖表8　2019年到2020年半導(dǎo)體材料市場規(guī)模及情況
圖表9　2019年到2020年半導(dǎo)體材料區(qū)域市場變化
圖表10　2021年半導(dǎo)體材料市場區(qū)域分布預(yù)測情況
圖表11　半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測環(huán)節(jié)
圖表12　2012年到2020年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模
圖表13　2017年到2019年中國半導(dǎo)體材料細分市場結(jié)構(gòu)
圖表14　2016年到2019年國內(nèi)企業(yè)半導(dǎo)體制造材料國產(chǎn)化率
圖表15　GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表16　GaN外延用不同襯底的對比