產品別名 |
JH3014側發(fā)光燈珠 |
面向地區(qū) |
全國 |
大功率LED不可歸類到貼片系列，它們功率及電流使用皆不相同，且光電參數相差甚巨。單顆大功率LED光源如未加散熱底座（一般為六角形鋁質座），它的外觀與普通貼片無太大差距，大功率LED光源呈圓形，封裝方式基本與SMD貼片相同，但與SMD貼片在使用條件/環(huán)境/效果等都有著本質上的區(qū)別。
適用性：很小，每個單元 LED 小片是 3-5mm 的正方形，所以可以制備成各種形狀的器件，并且適合于易變的環(huán)境。 響應時間：其白熾燈的響應時間為毫秒級， LED 燈的響應時間為納秒級。 對環(huán)境污染：無有害金屬汞。
半導體發(fā)光二極管的結構簡單，體積小，工作電流小，使用方便，成本低，所以在光電系統中的應用極為普遍。在正向偏置下，半導體PN結或與其類似的結構能夠發(fā)出可見光或近紅外光，這種把電能直接轉換為光能的器件稱為發(fā)光二極管，簡稱LED。
發(fā)光是物體內部以某種方式儲存的能量轉化為光輻射的過程。發(fā)光物體的光輻射是材料中受激發(fā)的電子躍遷到基態(tài)時產生的。半導體（主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素構成的化合物半導體）發(fā)光二極管屬于電流激發(fā)的電致發(fā)光器件。
原子、分子和某些半導體材料，能分別吸收和放出一定波長的光或電磁波。根據固體能帶論，半導體中電子的能量狀態(tài)分為價帶和導帶，當電子從一個帶中能態(tài)E1躍遷(轉移)到另一帶中的能態(tài)E2時，就會發(fā)出或吸收一定頻率(υ)的光。υ與能量差(ΔE=E2-E1)成正比，即
①提高內量子效率,要求盡量減少晶體缺陷和有害雜質；②提高外量子效率，結構要便于光收集、提取和發(fā)射；③可以用攜載信息的輸出電流直接對光輸出進行高速率的調制；④結構要有利于散熱，減少因結溫上升引起光功率下降；⑤要有高的輻射度，因此應用直接帶隙半導體和能夠在高電流密度下驅動的結構。
